国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“具有介电绝缘层的堆叠晶体管”的专利，公开号CN121241682A，申请日期为2024年6月绝缘管 。
专利摘要显示，一种半导体结构包括：第一堆叠器件，其具有包含一个或多个第一纳米片层的第一场效应晶体管、包含一个或多个第二纳米片层的第二场效应晶体管；以及位于所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管之间的第一介电绝缘层，所述第一介电绝缘层具有第一宽度绝缘管 。半导体结构还包括与第一堆叠器件相邻的第二堆叠器件。第二堆叠器件具有包含一个或多个第三纳米片层的第三场效应晶体管、包含一个或多个第四纳米片层的第四场效应晶体管、以及位于第三场效应晶体管和第四场效应晶体管之间的第二介电绝缘层。第二介电绝缘层具有小于第一介电绝缘层的第一宽度的第二宽度。
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来源：市场资讯